#1 |
数量:63050 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:50 |
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最小起订量:50 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:478 |
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最小起订量:50 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
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Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 47A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 26 mOhm @ 23.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 110nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3600pF @ 25V |
功率 - 最大 | 160W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
渠道类型 | P |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 60 V |
最大连续漏极电流 | 47 A |
RDS -于 | 26@10V mOhm |
最大门源电压 | ±25 V |
典型导通延迟时间 | 50 ns |
典型上升时间 | 450 ns |
典型关闭延迟时间 | 100 ns |
典型下降时间 | 195 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±25 |
包装宽度 | 4.7(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 160000 |
最大漏源电压 | 60 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 26@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
标准包装名称 | TO-220 |
最高工作温度 | 175 |
包装长度 | 10.1(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 9.4(Max) |
最大连续漏极电流 | 47 |
封装 | Rail |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 47A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
供应商设备封装 | TO-220 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 26 mOhm @ 23.5A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 160W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3600pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 110nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-220-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Single |
外形尺寸 | 10.1 x 4.7 x 9.4mm |
身高 | 9.4mm |
长度 | 10.1mm |
最大漏源电阻 | 0.026 Ω |
最高工作温度 | +175 °C |
最大功率耗散 | 160 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-220, TO-220AB |
典型栅极电荷@ VGS | 84 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 2800 pF V @ 25 |
宽度 | 4.7mm |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | P-Channel |
连续漏极电流 | 47 A |
封装/外壳 | TO-220-3 |
零件号别名 | FQP47P06_NL |
下降时间 | 195 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 0.063493 oz |
正向跨导 - 闵 | 21 S |
RoHS | RoHS Compliant |
源极击穿电压 | +/- 25 V |
系列 | FQP47P06 |
RDS(ON) | 26 mOhms |
安装风格 | Through Hole |
功率耗散 | 160 W |
上升时间 | 450 ns |
漏源击穿电压 | - 60 V |
漏极电流(最大值) | 47 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �25 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.026 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
极性 | P |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 60 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
Continuous Drain Current Id | :47A |
Drain Source Voltage Vds | :-60V |
On Resistance Rds(on) | :26mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
Threshold Voltage Vgs | :-4V |
No. of Pins | :3 |
Weight (kg) | 0.00204 |
Tariff No. | 85331000 |
associated | TP0006 273-AB |
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